方正微 run card 中英文对照表
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2024-06-21 13:38:19
| LAS_MAK |
激光打标 |
39 |
GOI_BNK |
进bank |
77 |
COD_BNK |
进入bank |
| NWL_IMP1 |
N阱注入1 |
40 |
VTN_PHO |
VTN(N管开启电压)光刻 |
78 |
ROM_PHO |
ROM(存储器)光刻 |
| INT_OXI |
初始氧化 |
41 |
VTN_IMP |
N管开启电压注入 |
79 |
ROM_IMP |
ROM注入, |
| PAD_OXI1 |
垫氧,起缓冲作用. |
42 |
VTG_IMP |
VT(开启电压)注入 |
80 |
ILD_DEP |
BPTEOS淀积 |
| SDG_DEP1 |
SDG (MOS管的源,栅,漏) 淀积1 |
43 |
PFI_PHO2 |
P场光刻2 |
81 |
ILD_FLW |
ILD是第一层隔离介质回流 |
| SDG_PHO1 |
SDG 光刻1 |
44 |
PFI_IMP2 |
P场注入2 |
82 |
SIN_RMV1 |
去除氮化硅 |
| SDG_ETC1 |
SDG 蚀刻1 |
45 |
SAC_RMV |
去除牺牲氧化层 |
83 |
GOX_OXI1 |
栅氧生长 |
| HMK-DEP |
硬掩模淀积 |
46 |
GOX_OXI |
MOS管的栅氧化层 |
84 |
VTP_PHO |
P管VT(开启电压)光刻 |
| TRN_PHO |
沟槽光刻 |
47 |
SDG_IMP |
MOS管的源漏注入 |
85 |
VTP_IMP |
P管VT(开启电压)注入 |
| HMK_ETC |
硬掩模蚀刻 |
48 |
PO1_DEP |
多晶硅淀积 |
86 |
VTP_ANL |
P管VT退火,在注入之后 |
| TRN_ETC |
沟槽蚀刻 |
49 |
PO1_DOP |
多晶硅搀杂 |
87 |
CT1_PHO |
孔层光刻 |
| TRN_RND |
沟槽圆滑蚀刻 |
50 |
DPL_DEP |
搀杂多晶硅淀积 |
88 |
CT1_ETC |
孔蚀刻 |
| NWL_PHO |
N阱光刻 |
51 |
DPL_ETB |
搀杂多晶硅蚀刻 |
89 |
CT1_IMP |
孔注入 |
| NWL_IMP |
N阱注入 |
52 |
WSI_SPU |
钨化硅溅射 |
90 |
CT1_FLW |
回流, |
| PWL_PHO |
P阱光刻 |
53 |
PO1_PHO |
多晶硅层涂胶,为了去除不用的地方 |
91 |
CTL_ETC |
孔蚀刻 |
| PWL_IMP |
P阱注入 |
54 |
PO1_ETC |
多晶硅蚀刻 |
92 |
CTN_IMP |
N管孔注入 |
| WEL_DRV |
推阱 |
55 |
NLD_IMP |
N管浅层注入 |
93 |
CTP_PHO |
P管孔光刻 |
| PAD_OXI2 |
垫氧2 |
56 |
BDY_OXI |
场氧化层 |
94 |
CTP_IMP |
P管孔注入 |
| SDG_DEP2 |
SDG淀积2 |
57 |
BDY_PHO |
场光刻 |
95 |
MT1_SPU |
溅铝 |
| SDG_PHO2 |
SDG 光刻2 |
58 |
BDY_IMP |
场注入 |
96 |
MT1_TIN |
1铝层氮化钛淀积 |
| SDG_ETC2 |
SDG 蚀刻2 |
59 |
BDY_DRV |
场驱入 |
97 |
MT1_ALY |
1铝合金 |
| PFI_PHO1 |
P场光刻 |
60 |
PLD_PHO |
P管浅层光刻 |
98 |
MT1_PHO |
1铝光刻 |
| PFI_IMP1 |
P场注入 |
61 |
PLD_IMP |
P管浅层注入 |
99 |
MT1_ETC |
1铝蚀刻 |
| FLD_OXI |
场氧,起隔离器件作用 |
62 |
SPA_DEP |
侧墙淀积 |
100 |
PAS_DEP |
护层淀积 |
| RNG_PHO |
场环光刻 |
63 |
SRC_PHO |
源区光刻 |
101 |
PAS_PHO |
护层光刻 |
| RNG_IMP |
场环注入 |
64 |
SRC_ETC |
源区蚀刻 |
102 |
PAS_ETC |
护层蚀刻 |
| RNG_ETC |
场环蚀刻 |
65 |
SRC_IMP |
源区注入 |
103 |
PAS_ALY |
护层合金 |
| RNG_DRV |
场环推进 |
66 |
SRC_DRV |
源区驱入或退火 |
104 |
PAS_DEP2 |
护层淀积 |
| SDG_PHO3 |
SDG 淀积3 |
67 |
SPA_ETC |
侧墙蚀刻 |
105 |
PAS_PHO2 |
护层光刻 |
| SDG_ETC3 |
SDG 光刻3 |
68 |
NSD_PHO |
N管(N管的源漏)光刻 |
106 |
PAS_ETC2 |
护层蚀刻 |
| PAD_OXI3 |
垫氧3 |
69 |
NSD_IMP |
N管的源漏注入,以形成N管 |
107 |
OQC1 |
QRA 检验 |
| JFT_IMP |
JFT 注入 |
70 |
PSD_PHO |
P管(P管的源漏)光刻 |
108 |
WAT-TES |
WAT 测试 |
| JFT_DRV |
JFT 推进 |
71 |
PSD_IMP |
P管的源漏注入,以形成N管 |
109 |
BAK_GRD |
背面减薄 |
| DBY_PHO |
DBY 光刻 |
72 |
RPL_DEP |
P+ 反打区淀积 |
110 |
BAK_IMP |
背面注入 |
| DBY_IMP |
DBY 注入 |
73 |
RPL_PHO |
P+ 反打区光刻 |
111 |
BAK_MET |
背面背金 |
| DBY_DRV |
DBY 推进 |
74 |
RPL_ETC |
P+ 反打区蚀刻 |
112 |
CPT_TES |
CP 测试 |
| SIN_RMV |
去除氮化硅 |
75 |
RPL_OXI |
P+ 反打区氧化 |
|
|
|
| SAC_OXI |
牺牲氧化层 |
76 |
SDA_DRV |
源,漏驱入或退火 |
|
|
|
