上电后FLASH地址0，代码开始在0地址处运行-〉执行重映射将FLASH映射到0x7F000000，将SDRAM映射到0。跳转到0x7f000000+偏移量处运行，会没解决方案
上电后FLASH地址0，代码开始在0地址处运行-〉执行重映射将FLASH映射到0x7F000000，将SDRAM映射到0。跳转到0x7f000000+偏移量处运行，会没
上电后FLASH地址0，代码开始在0地址处运行-〉执行重映射将FLASH映射到0x7F000000，将SDRAM映射到0。跳转到0x7f000000+偏移量处运行，会没有效果？看到书上说在这映射和跳转执行之间需要IMB，请大家指教指教
------解决方案--------------------
一旦硬件设计好了，存储器被映射的地址是不可以重新设置的。
一般的设计是：
FLASH地址空间：0x0-0x* 要看你的flash大小，或者多片flash。
SDRAM地址空间：0xC000000-0x* 还是要看你的SDRAM大小。
上电后，首先从0x0处加载代码并引导执行（片外启动方式）。
代码一般会将FLASH中的0x0-0x40000(bootloader代码)复制（映射）
到SDRAM中的0xC700000开始处，然后运行bootloader。
------解决方案--------------------
存储器映射地址确实是可以更改的，例如arm芯片就是典型的例子。
在arm芯片系统中，起始时刻flash被映射到0地址开始的空间中（bootloader就在flash中）。之后由于中断表要放在0地址处，因此必须把sdram给映射到0地址处，同时把flash地址“挪”到高地址去。在设计这个过程的时候，如果不想复制启动映象，还要用到arm的三级流水线的特性才行。
------解决方案--------------------
“一旦硬件设计好了，存储器被映射的地址是不可以重新设置的。”
我说错了，应该是：
“一旦硬件设计好了，存储器的地址是不可以重新设置的。”
为了加快访问速度，一般需要把Flash数据映射到SDRAM中，
以后如果要读Flash，就可以直接读SDRAM中映射的地址就可以了。
上电后FLASH地址0，代码开始在0地址处运行-〉执行重映射将FLASH映射到0x7F000000，将SDRAM映射到0。跳转到0x7f000000+偏移量处运行，会没有效果？看到书上说在这映射和跳转执行之间需要IMB，请大家指教指教
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一旦硬件设计好了，存储器被映射的地址是不可以重新设置的。
一般的设计是：
FLASH地址空间：0x0-0x* 要看你的flash大小，或者多片flash。
SDRAM地址空间：0xC000000-0x* 还是要看你的SDRAM大小。
上电后，首先从0x0处加载代码并引导执行（片外启动方式）。
代码一般会将FLASH中的0x0-0x40000(bootloader代码)复制（映射）
到SDRAM中的0xC700000开始处，然后运行bootloader。
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存储器映射地址确实是可以更改的，例如arm芯片就是典型的例子。
在arm芯片系统中，起始时刻flash被映射到0地址开始的空间中（bootloader就在flash中）。之后由于中断表要放在0地址处，因此必须把sdram给映射到0地址处，同时把flash地址“挪”到高地址去。在设计这个过程的时候，如果不想复制启动映象，还要用到arm的三级流水线的特性才行。
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“一旦硬件设计好了，存储器被映射的地址是不可以重新设置的。”
我说错了，应该是：
“一旦硬件设计好了，存储器的地址是不可以重新设置的。”
为了加快访问速度，一般需要把Flash数据映射到SDRAM中，
以后如果要读Flash，就可以直接读SDRAM中映射的地址就可以了。