N型场效应管当普通无触点开关电路用法有关问题。求模拟电路入（“非诚勿扰”）
N型场效应管当普通无触点开关电路用法问题。求模拟电路高手进入（“非诚勿扰”）。
有一个电源保护电路，用IRF44N场管作为开关元件，场管导通时的电流约为1.6A（该场管手册中电流为6A），因G端的点位比D端高10V（D端电压为24V），故V（D-S）压差小于0.1V，每次生产中总有约10~20%的场管D-S被烧毁击穿，这个原因一直未查到，请高手帮忙指点有哪几点问题存在。我实在分析不出来了，崩溃！
------解决方案--------------------
应该结合这个MOS周边电路看看当时的加载状态，整个电路板周边有无短路点位。暂态响应的波形也量一下，看看有没有SPIKE
------解决方案--------------------
不知其具体电路，一般N型场管主要用在低位也就是对地开关用，而P型用在高位也就是电源开关用。同时要保证vGS电压在任何时候都不能大于20v,否则很易烧毁击穿，你可在GS两端并一个10v～12v的稳压二极管。最好在G端对地接一电阻，保证关断时，能及时发掉残余电压，防止出现半导通状态。
------解决方案--------------------
一般小功率MOS的Vgs开启阀值在1.3V左右，5V足够饱和导通，G到GND（如果S极接地）导通时保持5V即可，DS导通电阻一般在m ohm级。小功率MOS的Vgs上限值一般是20V。这些具体也要看看DATASHEET。
这个烧毁的MOS直接原因是Id过大（DATASHEET上应该有Id上限），如果后端没有短路，或是此MOS开启时前端电路没有误动作造成VCC对地。那电压突波的可能性大一些，这个要看看上电瞬间或是负载突然变化时的暂态响应波形。需要具体问题具体分析
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贴电路再说-----------
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需要有电路、并且了解负载情况
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有一个电源保护电路，用IRF44N场管作为开关元件，场管导通时的电流约为1.6A（该场管手册中电流为6A），因G端的点位比D端高10V（D端电压为24V），故V（D-S）压差小于0.1V，每次生产中总有约10~20%的场管D-S被烧毁击穿，这个原因一直未查到，请高手帮忙指点有哪几点问题存在。我实在分析不出来了，崩溃！
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应该结合这个MOS周边电路看看当时的加载状态，整个电路板周边有无短路点位。暂态响应的波形也量一下，看看有没有SPIKE
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不知其具体电路，一般N型场管主要用在低位也就是对地开关用，而P型用在高位也就是电源开关用。同时要保证vGS电压在任何时候都不能大于20v,否则很易烧毁击穿，你可在GS两端并一个10v～12v的稳压二极管。最好在G端对地接一电阻，保证关断时，能及时发掉残余电压，防止出现半导通状态。
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一般小功率MOS的Vgs开启阀值在1.3V左右，5V足够饱和导通，G到GND（如果S极接地）导通时保持5V即可，DS导通电阻一般在m ohm级。小功率MOS的Vgs上限值一般是20V。这些具体也要看看DATASHEET。
这个烧毁的MOS直接原因是Id过大（DATASHEET上应该有Id上限），如果后端没有短路，或是此MOS开启时前端电路没有误动作造成VCC对地。那电压突波的可能性大一些，这个要看看上电瞬间或是负载突然变化时的暂态响应波形。需要具体问题具体分析
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贴电路再说-----------
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需要有电路、并且了解负载情况
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